IS43R86400D-6BLI
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IS43R86400D-6BLI
- 制造商：
- SILICON(芯成)
- 产品类别：
- 存储器芯片-控制器芯片
- 商品描述：
- IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
- 渠道：
- 国内现货mouserdigikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：190
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 190 | ￥43.660359 | ￥8295.47 |
规格参数
关键信息
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包装 托盘
产品状态 不适用于新设计
技术类参数
可编程 未验证
存储器格式 DRAM
存储器组织 64M x 8
存储器接口 并联
最大时钟频率 166 MHz
写周期时间-字，页 15ns
访问时间 700 ps
电源电压 2.3V ~ 2.7V
规格参数
技术 SDRAM - DDR
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
物理类型
存储器类型 易失
其它
存储容量 512Mb
产品编号 IS43R86400
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 60-TFBGA
供应商器件封装 60-TFBGA（8x13）
IS43R86400D-6BLI 同类别型号
注
IS43R86400D-6BLI品牌厂家：SILICON
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
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替代型号
、IS43R86400D-6BLI
数据手册PDF。
IS43R86400D-6BLI
型号：IS43R86400D-6BLI
品牌：SILICON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 190+： | ￥43.660359 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00