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IS43DR86400E-3DBL

SILICON(芯成)
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制造商编号:
IS43DR86400E-3DBL
制造商:
SILICON(芯成)
产品类别:
存储器芯片-控制器芯片
商品描述:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
渠道:
国内现货
mouser
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 23.239094 23.24
10 20.915185 209.15
25 20.584832 514.62
50 20.529058 1026.45
100 18.343153 1834.32

规格参数

关键信息

制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列 -

包装 托盘

产品状态 在售

技术类参数

可编程 未验证

存储器格式 DRAM

存储器组织 64M x 8

存储器接口 并联

最大时钟频率 333 MHz

写周期时间-字,页 15ns

访问时间 450 ps

电源电压 1.7V ~ 1.9V

规格参数

技术 SDRAM - DDR2

工作温度 0°C ~ 85°C(TC)

物理类型

存储器类型 易失

其它

存储容量 512Mb

产品编号 IS43DR86400

封装参数

产品安装类型 表面贴装型

封装 60-TFBGA

供应商器件封装 60-TWBGA(8x10.5)

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IS43DR86400E-3DBL

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型号:IS43DR86400E-3DBL

品牌:SILICON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥23.239094
10+: ¥20.915185
25+: ¥20.584832
50+: ¥20.529058
100+: ¥18.343153

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