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DS1230AB-200IND

ROCHESTER(罗彻斯特电子)
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制造商编号:
DS1230AB-200IND
制造商:
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
产品类别:
存储器芯片-控制器芯片
商品描述:
DS1230 3.3 VOLT, 256 K NV SRAM
渠道:
digikey

库存 :118

货期:(7~10天)

起订量:17

整装: ¥10

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数量 价格 总计
17 229.351894 3898.98

规格参数

属性
参数值

制造商型号

DS1230AB-200IND

制造商

ROCHESTER(罗彻斯特电子)

商品描述

DS1230 3.3 VOLT, 256 K NV SRAM

包装

Tube

系列

-

零件状态

Obsolete

存储器类型

Non-Volatile

存储器格式

NVSRAM

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

存储容量

256Kb (32K x 8)

存储器接口

Parallel

时钟频率

-

写周期时间 - 字,页

200ns

访问时间

200ns

电压 - 电源

4.75V ~ 5.25V

工作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

安装类型

Through Hole

封装/外壳

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供应商器件封装

28-EDIP

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型号:DS1230AB-200IND

品牌:ROCHESTER

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