MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
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- 制造商编号：
- MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
- 制造商：
- MICRON(镁光)
- 产品类别：
- 存储器芯片-控制器芯片
- 商品描述：
- IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
制造商
MICRON(镁光)
商品描述
IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
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零件状态
Not For New Designs
存储器类型
Non-Volatile
存储器格式
FLASH
技术
FLASH - NAND
存储容量
512Gb (64G x 8)
存储器接口
Parallel
时钟频率
333MHz
写周期时间 - 字，页
-
访问时间
-
电压 - 电源
2.5V ~ 3.6V
工作温度
0°C ~ 70°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
132-VBGA
供应商器件封装
132-VBGA (12x18)
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注
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR品牌厂家：MICRON
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
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MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
型号：MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
品牌：MICRON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
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