NAND02GR3B2DN6E
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- 制造商编号：
- NAND02GR3B2DN6E
- 制造商：
- MICRON(镁光)
- 产品类别：
- 存储器芯片-控制器芯片
- 商品描述：
- IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NAND02GR3B2DN6E
制造商
MICRON(镁光)
商品描述
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
包装
Tray
系列
-
零件状态
Obsolete
存储器类型
Non-Volatile
存储器格式
FLASH
技术
FLASH - NAND
存储容量
2Gb (256M x 8)
存储器接口
Parallel
时钟频率
-
写周期时间 - 字，页
45ns
访问时间
45ns
电压 - 电源
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供应商器件封装
48-TSOP
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注
NAND02GR3B2DN6E品牌厂家：MICRON
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
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替代型号
、NAND02GR3B2DN6E
数据手册PDF。
NAND02GR3B2DN6E
型号：NAND02GR3B2DN6E
品牌：MICRON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00