MT49H64M9SJ-25E:B TR
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- 制造商编号：
- MT49H64M9SJ-25E:B TR
- 制造商：
- MICRON(镁光)
- 产品类别：
- 存储器芯片-控制器芯片
- 商品描述：
- IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MT49H64M9SJ-25E:B TR
制造商
MICRON(镁光)
商品描述
IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
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零件状态
Obsolete
存储器类型
Volatile
存储器格式
DRAM
技术
DRAM
存储容量
576Mb (64M x 9)
存储器接口
Parallel
时钟频率
400MHz
写周期时间 - 字，页
-
访问时间
15ns
电压 - 电源
1.7V ~ 1.9V
工作温度
0°C ~ 95°C (TC)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
144-TFBGA
供应商器件封装
144-FBGA (18.5x11)
MT49H64M9SJ-25E:B TR 同类别型号
注
MT49H64M9SJ-25E:B TR品牌厂家：MICRON
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
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替代型号
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MT49H64M9SJ-25E:B TR
型号：MT49H64M9SJ-25E:B TR
品牌：MICRON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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