MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR
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- 制造商编号：
- MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR
- 制造商：
- MICRON(镁光)
- 产品类别：
- 存储器芯片-控制器芯片
- 商品描述：
- IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Micron Technology
商标 Micron
技术类参数
存储容量 512 Gbit
接口类型 Parallel
数据总线宽度 8 bit
电源电压-（Min） 2.5 V
电源电压-（Max） 3.6 V
规格参数
组织 64 G x 8
物理类型
产品种类 NAND闪存
安装风格 SMD/SMT
产品类型 NAND Flash
MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR 同类别型号
注
MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR品牌厂家：MICRON
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
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替代型号
、MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR
数据手册PDF。
MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR
型号：MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR
品牌：MICRON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
+ -
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