MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
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- 制造商编号：
- MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
- 制造商：
- MICRON(镁光)
- 产品类别：
- 存储器芯片-控制器芯片
- 商品描述：
- IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
- 渠道：
- digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
制造商
MICRON(镁光)
商品描述
IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
存储器类型
Volatile
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量
32Gb (512M x 64)
存储器接口
-
时钟频率
2133MHz
写周期时间 - 字，页
-
访问时间
-
电压 - 电源
1.1V
工作温度
-30°C ~ 85°C (TC)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
376-WFBGA
供应商器件封装
376-WFBGA (14x14)
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注
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR品牌厂家：MICRON
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
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MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
型号：MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
品牌：MICRON
供货：锐单
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