MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
- 制造商：
- MICRON(镁光)
- 产品类别：
- 存储器芯片-控制器芯片
- 商品描述：
- IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
制造商
MICRON(镁光)
商品描述
IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Active
存储器类型
Non-Volatile
存储器格式
FLASH
技术
FLASH - NAND
存储容量
512Gb (64G x 8)
存储器接口
Parallel
时钟频率
333MHz
写周期时间 - 字，页
-
访问时间
-
电压 - 电源
2.5V ~ 3.6V
工作温度
0°C ~ 70°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
132-VBGA
供应商器件封装
132-VBGA (12x18)
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR 相关产品
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR 同类别型号
注
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR品牌厂家：MICRON
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
，可在锐单商城现货采购MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR、查询MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR代理商；
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR价格批发咨询客服；这里拥有
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
替代型号
、MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
数据手册PDF。
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
型号：MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
品牌：MICRON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00