IS61NVF51236-7.5B3
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- 制造商编号：
- IS61NVF51236-7.5B3
- 制造商：
- SILICON(芯成)
- 产品类别：
- 存储器芯片-控制器芯片
- 商品描述：
- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包装 托盘
产品状态 停产
技术类参数
可编程 未验证
存储器格式 SRAM
存储器组织 512K x 36
存储器接口 并联
最大时钟频率 117 MHz
写周期时间-字，页 -
访问时间 7.5 ns
电源电压 2.375V ~ 2.625V
规格参数
技术 SRAM - 同步，SDR
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
物理类型
存储器类型 易失
其它
存储容量 18Mb
产品编号 IS61NVF51236
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 165-TBGA
供应商器件封装 165-TFBGA（13x15）
IS61NVF51236-7.5B3 同类别型号
注
IS61NVF51236-7.5B3品牌厂家：SILICON
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
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替代型号
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数据手册PDF。
IS61NVF51236-7.5B3
型号：IS61NVF51236-7.5B3
品牌：SILICON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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