NAND512W3A2BZA6E
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- 制造商编号：
- NAND512W3A2BZA6E
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 存储器芯片-控制器芯片
- 商品描述：
- IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包装 托盘
产品状态 停产
技术类参数
可编程 未验证
存储器格式 闪存
存储器组织 64M x 8
存储器接口 并联
写周期时间-字，页 50ns
访问时间 50 ns
电源电压 2.7V ~ 3.6V
规格参数
技术 闪存 - NAND
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
物理类型
存储器类型 非易失
其它
存储容量 512Mb
产品编号 NAND512
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 63-VFBGA
供应商器件封装 63-VFBGA（8.5x15）
NAND512W3A2BZA6E 同类别型号
注
NAND512W3A2BZA6E品牌厂家：ST
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
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替代型号
、NAND512W3A2BZA6E
数据手册PDF。
NAND512W3A2BZA6E
型号：NAND512W3A2BZA6E
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00