L6491DTR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥8.705717 | ￥21764.29 |
规格参数
关键信息
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包装 卷带（TR）
产品状态 在售
技术类参数
Ruidan可编程 未验证
驱动配置 半桥
电源电压 10V ~ 20V
逻辑电压-VIL，VIH 1.45V，2V
输出电流 4A，4A
输入类型 非反相
高压侧电压-(Max) 600 V
上升/下降时间（范围） 15ns，15ns
规格参数
通道类型 独立式
栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET
工作温度 -40°C ~ 125°C（TJ）
其它
产品编号 L6491
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 14-SO
L6491DTR 同类别型号
注
L6491DTR品牌厂家：ST
，所属分类： 栅极驱动器
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替代型号
、L6491DTR
数据手册PDF。
L6491DTR
型号：L6491DTR
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥8.705717 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00