NCP5183DR2G
库存 ：1500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.802689 | ￥38.80 |
| 10 | ￥34.811557 | ￥348.12 |
| 25 | ￥32.904681 | ￥822.62 |
| 100 | ￥27.056562 | ￥2705.66 |
| 250 | ￥24.277735 | ￥6069.43 |
| 500 | ￥23.400239 | ￥11700.12 |
| 1000 | ￥19.451374 | ￥19451.37 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
系列 -
包装 卷带（TR）
产品状态 在售
技术类参数
Ruidan可编程 未验证
驱动配置 半桥
驱动器数 2
电源电压 9V ~ 18V
逻辑电压-VIL，VIH 1.2V，2.5V
输出电流 4.3A，4.3A
输入类型 非反相
高压侧电压-(Max) 600 V
上升/下降时间（范围） 12ns，12ns
规格参数
通道类型 独立式
栅极类型 N 沟道 MOSFET
工作温度 -40°C ~ 125°C（TJ）
其它
产品编号 NCP5183
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
NCP5183DR2G 同类别型号
注
NCP5183DR2G
型号：NCP5183DR2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：1500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥38.802689 |
| 10+： | ￥34.811557 |
| 25+： | ￥32.904681 |
| 100+： | ￥27.056562 |
| 250+： | ￥24.277735 |
| 500+： | ￥23.400239 |
| 1000+： | ￥19.451374 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.80