BS2103F-E2
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
激励器数量 2 Driver
输出端数量 2 Output
输出电流 130 mA
电源电压-（Min） 10 V
电源电压-（Max） 18 V
上升时间 200 ns
下降时间 100 ns
关闭延迟时间（Max） 330 ns
开启延迟时间（Max） 320 ns
空闲时间（Max） 170 ns
电源电流（Max） 120 uA
工作电源电压 10 V to 18 V
输出电压 10 V to 18 V
技术 Si
规格参数
关闭 No Shutdown
物理类型
产品种类 门驱动器
类型 High-Side, Low-Side
安装风格 SMD/SMT
产品类型 Gate Drivers
零件号别名 BS2103F
单位重量 851 mg
BS2103F-E2 同类别型号
注
BS2103F-E2品牌厂家：ROHM
，所属分类： 栅极驱动器
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替代型号
、BS2103F-E2
数据手册PDF。
BS2103F-E2
型号：BS2103F-E2
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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