NCP5111DR2G
库存 ：6529
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.245575 | ￥21.25 |
| 10 | ￥17.598946 | ￥175.99 |
| 100 | ￥12.255842 | ￥1225.58 |
| 500 | ￥11.621646 | ￥5810.82 |
| 1000 | ￥9.037298 | ￥9037.30 |
| 2500 | ￥8.418955 | ￥21047.39 |
| 5000 | ￥8.260407 | ￥41302.04 |
| 10000 | ￥8.006729 | ￥80067.29 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
系列 -
包装 卷带（TR）
产品状态 在售
技术类参数
Ruidan可编程 未验证
驱动配置 半桥
驱动器数 2
电源电压 10V ~ 20V
逻辑电压-VIL，VIH 0.8V，2.3V
输出电流 250mA，500mA
输入类型 非反相
高压侧电压-(Max) 600 V
上升/下降时间（范围） 85ns，35ns
规格参数
通道类型 同步
栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET
工作温度 -40°C ~ 125°C（TJ）
其它
产品编号 NCP5111
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
NCP5111DR2G 相关产品
NCP5111DR2G 同类别型号
注
NCP5111DR2G
型号：NCP5111DR2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：6529 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.245575 |
| 10+： | ￥17.598946 |
| 100+： | ￥12.255842 |
| 500+： | ￥11.621646 |
| 1000+： | ￥9.037298 |
| 2500+： | ￥8.418955 |
| 5000+： | ￥8.260407 |
| 10000+： | ￥8.006729 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.25