NCV5183DR2G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥7.053641 | ￥17634.10 |
| 5000 | ￥6.792395 | ￥33961.97 |
| 12500 | ￥6.555794 | ￥81947.43 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
系列 Automotive, AEC-Q100
包装 卷带（TR）
产品状态 在售
技术类参数
Ruidan可编程 未验证
驱动配置 半桥
驱动器数 2
电源电压 9V ~ 18V
逻辑电压-VIL，VIH 1.2V，2.5V
输出电流 4.3A，4.3A
输入类型 非反相
高压侧电压-(Max) 600 V
上升/下降时间（范围） 12ns，12ns
规格参数
通道类型 独立式
栅极类型 N 沟道 MOSFET
工作温度 -40°C ~ 125°C（TJ）
其它
产品编号 NCV5183
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
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注
NCV5183DR2G
型号：NCV5183DR2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥7.053641 |
| 5000+： | ￥6.792395 |
| 12500+： | ￥6.555794 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00