NCV5183DR2G
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥32.55337 | ￥32.55 |
| 10 | ￥29.262521 | ￥292.63 |
| 25 | ￥27.605258 | ￥690.13 |
| 100 | ￥23.520106 | ￥2352.01 |
| 250 | ￥22.084206 | ￥5521.05 |
| 500 | ￥19.32368 | ￥9661.84 |
| 1000 | ￥16.01105 | ￥16011.05 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
系列 Automotive, AEC-Q100
包装 卷带（TR）
产品状态 在售
技术类参数
Ruidan可编程 未验证
驱动配置 半桥
驱动器数 2
电源电压 9V ~ 18V
逻辑电压-VIL，VIH 1.2V，2.5V
输出电流 4.3A，4.3A
输入类型 非反相
高压侧电压-(Max) 600 V
上升/下降时间（范围） 12ns，12ns
规格参数
通道类型 独立式
栅极类型 N 沟道 MOSFET
工作温度 -40°C ~ 125°C（TJ）
其它
产品编号 NCV5183
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
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注
NCV5183DR2G
型号：NCV5183DR2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥32.55337 |
| 10+： | ￥29.262521 |
| 25+： | ￥27.605258 |
| 100+： | ￥23.520106 |
| 250+： | ￥22.084206 |
| 500+： | ￥19.32368 |
| 1000+： | ￥16.01105 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥32.55