CSD97376Q4M
库存 ：4173
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥29.066525 | ￥29.07 |
| 10 | ￥21.386844 | ￥213.87 |
| 25 | ￥19.465393 | ￥486.63 |
| 100 | ￥17.360364 | ￥1736.04 |
| 250 | ￥16.356193 | ￥4089.05 |
| 500 | ￥15.750081 | ￥7875.04 |
| 1000 | ￥15.251665 | ￥15251.66 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
系列 NexFET™
包装 卷带（TR）
产品状态 在售
技术类参数
导通电阻（标称值） -
电流 输出/通道 20A
电流输出 45A
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电压-负载 4.5V ~ 24V
规格参数
负载类型 电感
技术 功率 MOSFET
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
特性 自举电路
故障保护 击穿，UVLO
其它
输出配置 半桥
应用 同步降压转换器
接口 PWM
产品编号 CSD97376
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 8-PowerVFDFN
供应商器件封装 8-VSON（3.5x4.5）
CSD97376Q4M 同类别型号
注
CSD97376Q4M品牌厂家：TI
，所属分类： 点火芯片
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替代型号
、CSD97376Q4M
数据手册PDF
。
CSD97376Q4M
型号：CSD97376Q4M
品牌：TI
供货：锐单
库存：4173 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥29.066525 |
| 10+： | ￥21.386844 |
| 25+： | ￥19.465393 |
| 100+： | ￥17.360364 |
| 250+： | ￥16.356193 |
| 500+： | ￥15.750081 |
| 1000+： | ￥15.251665 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥29.07