CSD97396Q4M
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥29.901569 | ￥29.90 |
| 10 | ￥26.82492 | ￥268.25 |
| 25 | ￥25.31007 | ￥632.75 |
| 100 | ￥21.564962 | ￥2156.50 |
| 250 | ￥20.248552 | ￥5062.14 |
| 500 | ￥17.717544 | ￥8858.77 |
| 1000 | ￥16.714607 | ￥16714.61 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
系列 NexFET™
包装 卷带（TR）
产品状态 在售
技术类参数
导通电阻（标称值） -
电流 输出/通道 30A
电流输出 65A
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电压-负载 4.5V ~ 24V
规格参数
负载类型 电感
技术 功率 MOSFET
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
特性 自举电路，二极管仿真
故障保护 击穿
其它
输出配置 半桥
应用 同步降压转换器
接口 PWM
产品编号 CSD97396
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 8-PowerVFDFN
供应商器件封装 8-VSON（3.5x4.5）
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注
CSD97396Q4M品牌厂家：TI
，所属分类： 点火芯片
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替代型号
、CSD97396Q4M
数据手册PDF
。
CSD97396Q4M
型号：CSD97396Q4M
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥29.901569 |
| 10+： | ￥26.82492 |
| 25+： | ￥25.31007 |
| 100+： | ￥21.564962 |
| 250+： | ￥20.248552 |
| 500+： | ￥17.717544 |
| 1000+： | ￥16.714607 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥29.90