UCC21222DR
库存 ：4646
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥34.7462 | ￥34.75 |
| 10 | ￥31.196857 | ￥311.97 |
| 25 | ￥29.490682 | ￥737.27 |
| 100 | ￥25.557761 | ￥2555.78 |
| 250 | ￥24.24712 | ￥6061.78 |
| 500 | ￥21.7571 | ￥10878.55 |
| 1000 | ￥18.349356 | ￥18349.36 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
系列 -
包装 卷带（TR）
产品状态 在售
技术类参数
Ruidan可编程 未验证
驱动配置 半桥
驱动器数 2
电源电压 3V ~ 5.5V
逻辑电压-VIL，VIH 1.25V，1.6V
输出电流 4A，6A
输入类型 CMOS/TTL
上升/下降时间（范围） 5ns，6ns
规格参数
通道类型 独立式
栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET
工作温度 -40°C ~ 125°C（TA）
其它
产品编号 UCC21222
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 16-SOIC
UCC21222DR 同类别型号
注
UCC21222DR品牌厂家：TI
，所属分类： 栅极驱动器
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替代型号
、UCC21222DR
数据手册PDF
。
UCC21222DR
型号：UCC21222DR
品牌：TI
供货：锐单
库存：4646 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥34.7462 |
| 10+： | ￥31.196857 |
| 25+： | ￥29.490682 |
| 100+： | ￥25.557761 |
| 250+： | ￥24.24712 |
| 500+： | ￥21.7571 |
| 1000+： | ￥18.349356 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥34.75