L6389ED
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥3.102638 | ￥6205.28 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
L6389ED
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
包装
Tube
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
驱动配置
Half-Bridge
通道类型
Independent
驱动器数
2
栅极类型
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
电压 - 电源
17V (Max)
Logic Voltage - VIL, VIH
1.1V, 1.8V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
400mA, 650mA
输入类型
Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
600V
上升/下降时间（典型值）
70ns, 40ns
工作温度
-45°C ~ 125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
-
L6389ED 同类别型号
注
L6389ED品牌厂家：ST
，所属分类： 栅极驱动器
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替代型号
、L6389ED
数据手册PDF。
L6389ED
型号：L6389ED
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥3.102638 |
货期：1-2天
+ -
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