Adesto### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
闪存存储器,Adesto
### 快闪存储器
闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
得捷:
IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC
立创商城:
AT45DB041E SSHN2B T
欧时:
Adesto Technologies AT45DB041E-SSHN2B-T 闪存, 4194304bit 2048 页 x 256 字节, SPI接口, 7ns, 1.65 → 3.6 V
艾睿:
NOR Flash Serial-SPI 1.8V 4M-bit 512K x 8 7ns 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Flash Serial 1.8V/2.5V/3.3V 4Mbit 4M x 1bit 8-Pin SOIC T/R
TME:
Memory: Serial Flash; 4Mbit; SPI / RapidS; 85MHz; 1.65÷3.6V; SO8
工作电压 1.65V ~ 3.6V
针脚数 8
时钟频率 85 MHz
位数 8
存取时间Max 7 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.65V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 1.65 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5.05 mm
宽度 3.99 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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AT45DB041E-SSHN2B-T Adesto Technologies | 当前型号 | 当前型号 |
AT45DB041E-SSHN-B Adesto Technologies | 完全替代 | AT45DB041E-SSHN2B-T和AT45DB041E-SSHN-B的区别 |
AT45DB041E-SHN-B Adesto Technologies | 完全替代 | AT45DB041E-SSHN2B-T和AT45DB041E-SHN-B的区别 |
AT45DB041E-SSHN-T Adesto Technologies | 完全替代 | AT45DB041E-SSHN2B-T和AT45DB041E-SSHN-T的区别 |