ADR421BR参数规格_中文资料_数据手册PDF

ADR421BR概述

超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

系列电压基准 IC ±0.04% 8-SOIC

得捷:
IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC

艾睿:
V-Ref Precision 2.5V 10mA 8-Pin SOIC N Tube

安富利:
V-Ref Precision 2.5V 10mA 8-Pin SOIC N Tube

Chip1Stop:
V-Ref Precision 2.5V 10mA 8-Pin SOIC N Tube

Verical:
V-Ref Precision 2.5V 10mA 8-Pin SOIC N Tube

ADR421BR中文资料参数规格

技术参数

容差 ±0.04 %

输入电压DC 4.50V ~ 18.0V

输出电压 2.5 V

输出电流 10 mA

供电电流 600 μA

通道数 1

输入电压Max 18 V

输出电压Max 2.5 V

输出电压Min 2.5 V

输出电流Max 10 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

精度 ±0.04 %

输入电压 4.5V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

温度系数 ±3 ppm/℃

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

ADR421BR引脚图与封装图

在线购买ADR421BR

型号： ADR421BR

制造商： ADI 亚德诺

描述：超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

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替代型号ADR421BR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
ADR421BR ADI 亚德诺	当前型号	当前型号
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