AT45DB041E-SSHN-B

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AT45DB041E-SSHN-B概述

Adesto### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

闪存存储器,Adesto

### 快闪存储器

闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。


得捷:
IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC


欧时:
### 闪存存储器,Adesto### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。


立创商城:
4Mbit 1.65V~3.6V


贸泽:
NOR闪存 4M, 85MHz 1.65-3.6V DataFlash


艾睿:
Flash Serial-SPI 1.8V 4M-bit 512K x 8 7ns 8-Pin SOIC N Tube


安富利:
Flash Serial 1.8V/2.5V/3.3V 4Mbit 4M x 1bit 8-Pin SOIC Tube


TME:
Memory: Serial Flash; 4Mbit; SPI / RapidS; 85MHz; 1.65÷3.6V; SO8


Verical:
NOR Flash Serial-SPI 1.8V 4M-bit 512K x 8 7ns 8-Pin SOIC N Tube


Newark:
# ADESTO TECHNOLOGIES  AT45DB041E-SSHN-B  MEMORY, SERIAL FLASH, 4MBIT, SOIC-8


AT45DB041E-SSHN-B中文资料参数规格
技术参数

频率 85 MHz

电源电压DC 1.65V min

工作电压 1.65V ~ 3.6V

供电电流 15 mA

针脚数 8

时钟频率 85 MHz

位数 8

存取时间 7 ns

内存容量 500000 B

存取时间Max 7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 1.65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.05 mm

宽度 3.99 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买AT45DB041E-SSHN-B
型号: AT45DB041E-SSHN-B
描述:Adesto ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
替代型号AT45DB041E-SSHN-B
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Adesto Technologies

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