AT45DB641E-MWHN-Y

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AT45DB641E-MWHN-Y概述

Adesto### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

闪存存储器,Adesto


立创商城:
64Mbit 1.7V~3.6V


得捷:
IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8VDFN


欧时:
Adesto Technologies AT45DB641E-MWHN-Y 闪存, 69206016bit 32768 页 x 256 字节, SPI接口, 7ns, 1.65 → 3.6 V


艾睿:
NOR Flash Serial-SPI 1.8V/2.5V/3.3V 64M-bit 8M x 8 7ns 8-Pin VDFN EP Tray


安富利:
Flash Serial-SPI 1.8V/2.5V/3.3V 64Mbit 64M x 1bit 8-Pin VDFN EP Tray


TME:
Memory: Serial Flash; 64Mbit; SPI / RapidS; 85MHz; 1.7÷3.6V; uDFN8


Verical:
NOR Flash Serial-SPI 1.8V/2.5V/3.3V 64M-bit 8M x 8 7ns 8-Pin VDFN EP Tray


AT45DB641E-MWHN-Y中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.7V ~ 3.6V

供电电流 15 mA

针脚数 8

时钟频率 85 MHz

位数 8

存取时间Max 7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VDFN-8

外形尺寸

长度 8.1 mm

宽度 6.1 mm

高度 0.95 mm

封装 VDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.1.a

数据手册

在线购买AT45DB641E-MWHN-Y
型号: AT45DB641E-MWHN-Y
描述:Adesto ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
替代型号AT45DB641E-MWHN-Y
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AT45DB641E-MWHN-Y

Adesto Technologies

当前型号

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AT45DB641E-MWHN-T

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完全替代

AT45DB641E-MWHN-Y和AT45DB641E-MWHN-T的区别

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AT45DB641E-MWHN-Y和AT45DB641E-MHN-T的区别

AT45DB641E-MHN2B-T

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完全替代

AT45DB641E-MWHN-Y和AT45DB641E-MHN2B-T的区别

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