Adesto### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
闪存存储器,Adesto
立创商城:
64Mbit 1.7V~3.6V
得捷:
IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8VDFN
欧时:
Adesto Technologies AT45DB641E-MWHN-Y 闪存, 69206016bit 32768 页 x 256 字节, SPI接口, 7ns, 1.65 → 3.6 V
艾睿:
NOR Flash Serial-SPI 1.8V/2.5V/3.3V 64M-bit 8M x 8 7ns 8-Pin VDFN EP Tray
安富利:
Flash Serial-SPI 1.8V/2.5V/3.3V 64Mbit 64M x 1bit 8-Pin VDFN EP Tray
TME:
Memory: Serial Flash; 64Mbit; SPI / RapidS; 85MHz; 1.7÷3.6V; uDFN8
Verical:
NOR Flash Serial-SPI 1.8V/2.5V/3.3V 64M-bit 8M x 8 7ns 8-Pin VDFN EP Tray
工作电压 1.7V ~ 3.6V
供电电流 15 mA
针脚数 8
时钟频率 85 MHz
位数 8
存取时间Max 7 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VDFN-8
长度 8.1 mm
宽度 6.1 mm
高度 0.95 mm
封装 VDFN-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.b.1.a
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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AT45DB641E-MWHN-Y Adesto Technologies | 当前型号 | 当前型号 |
AT45DB641E-MWHN-T Adesto Technologies | 完全替代 | AT45DB641E-MWHN-Y和AT45DB641E-MWHN-T的区别 |
AT45DB641E-MHN-T Adesto Technologies | 完全替代 | AT45DB641E-MWHN-Y和AT45DB641E-MHN-T的区别 |
AT45DB641E-MHN2B-T Adesto Technologies | 完全替代 | AT45DB641E-MWHN-Y和AT45DB641E-MHN2B-T的区别 |