AS4C4M16S-6BIN

AS4C4M16S-6BIN图片1
AS4C4M16S-6BIN概述

DRAM 64Mb, 3.3V, 166MHz 4M x 16 SDRAM

SDRAM 存储器 IC 64Mb(4M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA


贸泽:
DRAM 64Mb, 3.3V, 166Mhz 4M x 16 SDRAM


安富利:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 4M x 16 3.3V 54-Pin TFBGA


Win Source:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA / SDRAM Memory IC 64Mb 4M x 16 Parallel 166 MHz 5.4 ns 54-TFBGA 8x8


AS4C4M16S-6BIN中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

AS4C4M16S-6BIN引脚图与封装图
AS4C4M16S-6BIN引脚图
AS4C4M16S-6BIN封装图
AS4C4M16S-6BIN封装焊盘图
在线购买AS4C4M16S-6BIN
型号: AS4C4M16S-6BIN
描述:DRAM 64Mb, 3.3V, 166MHz 4M x 16 SDRAM
替代型号AS4C4M16S-6BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AS4C4M16S-6BIN

Alliance Memory 联盟记忆

当前型号

当前型号

AS4C4M16SA-6BIN

联盟记忆

完全替代

AS4C4M16S-6BIN和AS4C4M16SA-6BIN的区别

AS4C4M16S-6BINTR

联盟记忆

功能相似

AS4C4M16S-6BIN和AS4C4M16S-6BINTR的区别

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