AS4C64M8D1-5TCN

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AS4C64M8D1-5TCN概述

动态随机存取存储器 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 200 MHz 700 ps 66-TSOP II


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II


贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1


TME:
Memory; DDR1,SDRAM; 64Mx8bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66; 0÷70°C


AS4C64M8D1-5TCN中文资料参数规格
技术参数

存取时间 700 ps

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-66

外形尺寸

封装 TSSOP-66

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: AS4C64M8D1-5TCN
描述:动态随机存取存储器 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1

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