AS6C2008-55TIN参数规格_中文资料_数据手册PDF

AS6C2008-55TIN概述

SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32Pin TSOP-I

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb 256K x 8 Parallel 55ns 32-TSOP I

得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I

立创商城:
AS6C2008 55TIN

贸泽:
SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM

TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32

AS6C2008-55TIN中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3V ~ 3.6V

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFSOP-32

外形尺寸

封装 TFSOP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

AS6C2008-55TIN引脚图与封装图

在线购买AS6C2008-55TIN

型号： AS6C2008-55TIN

描述：SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32Pin TSOP-I

替代型号AS6C2008-55TIN