AS4C64M8D1-5BIN

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AS4C64M8D1-5BIN概述

动态随机存取存储器 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 200 MHz 700 ps 60-FBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA


立创商城:
AS4C64M8D1 5BIN


贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1


安富利:
DRAM Chip DDR1 512M-Bit 64Mx8 2.5V -40 to 85°C 60-ball FBGA


TME:
Memory; DDR1,SDRAM; 64Mx8bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66; -40÷85°C


AS4C64M8D1-5BIN中文资料参数规格
技术参数

存取时间 700 ps

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AS4C64M8D1-5BIN
型号: AS4C64M8D1-5BIN
描述:动态随机存取存储器 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1

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