AS4C16M16MD1-6BCN

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AS4C16M16MD1-6BCN概述

DDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 60-FPBGA 8x9


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16M x 16 1.8V 60-Pin FBGA


儒卓力:
**Mobile DDR 256Mb 16Mx16 166MHz **


AS4C16M16MD1-6BCN中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AS4C16M16MD1-6BCN
型号: AS4C16M16MD1-6BCN
描述:DDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60
替代型号AS4C16M16MD1-6BCN
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AS4C16M16MD1-6BCN

Alliance Memory 联盟记忆

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AS4C16M16MD1-6BCN和AS4C16M16MD1-6BCNTR的区别

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