AS4C16M16SA-6BIN

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AS4C16M16SA-6BIN概述

AS4C4M16S 256-Mb 16 M x 16 3.6 V 高速 CMOS 同步 DRAM - TFBGA-54

SDRAM 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA


欧时:
ALLIANCE, DRAM, 256M, 16MX16, 3.3V


立创商城:
AS4C16M16SA 6BIN


儒卓力:
**SDRAM 256Mb 16Mx16 166MHz BGA **


AS4C16M16SA-6BIN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 166 MHz

存取时间 5 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AS4C16M16SA-6BIN
型号: AS4C16M16SA-6BIN
描述:AS4C4M16S 256-Mb 16 M x 16 3.6 V 高速 CMOS 同步 DRAM - TFBGA-54
替代型号AS4C16M16SA-6BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AS4C16M16SA-6BIN

Alliance Memory 联盟记忆

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