AS4C8M16D1-5BIN

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AS4C8M16D1-5BIN概述

128Mb, DDR1, 8M X 16, 2.5V, BGA,,

SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 200 MHz 700 ps 60-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA


立创商城:
AS4C8M16D1 5BIN


TME:
Memory; DDR1,SDRAM; 8Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66; -40÷85°C


AS4C8M16D1-5BIN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 200 MHz

存取时间 700 ps

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AS4C8M16D1-5BIN
型号: AS4C8M16D1-5BIN
描述:128Mb, DDR1, 8M X 16, 2.5V, BGA,,

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