AS4C16M16D1-5BCN

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AS4C16M16D1-5BCN概述

动态随机存取存储器 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1

SDRAM - DDR Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA


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AS4C16M16D1 5BCN


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动态随机存取存储器 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16M x 16 2.5V 60-Pin TFBGA


TME:
Memory; DDR1,SDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66; 0÷70°C


儒卓力:
**DDR-SDRAM 256Mb 16Mx16 200MHz **


AS4C16M16D1-5BCN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 200 MHz

存取时间 700 ps

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS4C16M16D1-5BCN引脚图与封装图
AS4C16M16D1-5BCN引脚图
AS4C16M16D1-5BCN封装图
AS4C16M16D1-5BCN封装焊盘图
在线购买AS4C16M16D1-5BCN
型号: AS4C16M16D1-5BCN
描述:动态随机存取存储器 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1

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