AS4C16M32MD1-5BCN

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AS4C16M32MD1-5BCN概述

Synchronous DRAM, 16MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, ROHS COMPLIANT, FPBGA-90

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb(16M x 32) 并联 90-FBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA


立创商城:
AS4C16M32MD1 5BCN


儒卓力:
**Mobile DDR 512Mb 16Mx32 200MHz **


AS4C16M32MD1-5BCN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 200 MHz

存取时间 5 ns

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-90

外形尺寸

封装 VFBGA-90

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS4C16M32MD1-5BCN引脚图与封装图
AS4C16M32MD1-5BCN引脚图
AS4C16M32MD1-5BCN封装图
AS4C16M32MD1-5BCN封装焊盘图
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型号: AS4C16M32MD1-5BCN
描述:Synchronous DRAM, 16MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, ROHS COMPLIANT, FPBGA-90

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