AS4C16M16D1-5BIN

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AS4C16M16D1-5BIN概述

IC SDRAM 256Mbit 200MHz 60BGA

SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 60-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA


立创商城:
AS4C16M16D1 5BIN


TME:
Memory; DDR1,SDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66; -40÷85°C


AS4C16M16D1-5BIN中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.7 ns

电源电压 2.3V ~ 2.7V

电源电压Max 2.7 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

AS4C16M16D1-5BIN引脚图与封装图
AS4C16M16D1-5BIN封装焊盘图
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型号: AS4C16M16D1-5BIN
描述:IC SDRAM 256Mbit 200MHz 60BGA

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