AS4C4M32S-6BIN

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AS4C4M32S-6BIN概述

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 1.2MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-90

SDRAM Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA


立创商城:
AS4C4M32S 6BIN


安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin TF-BGA


儒卓力:
**SDRAM 128Mb 4Mx32 166MHz BGA **


AS4C4M32S-6BIN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 166 MHz

存取时间 5.4 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS4C4M32S-6BIN引脚图与封装图
AS4C4M32S-6BIN引脚图
AS4C4M32S-6BIN封装图
AS4C4M32S-6BIN封装焊盘图
在线购买AS4C4M32S-6BIN
型号: AS4C4M32S-6BIN
描述:Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 1.2MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-90
替代型号AS4C4M32S-6BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AS4C4M32S-6BIN

Alliance Memory 联盟记忆

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AS4C4M32S-6BINTR

联盟记忆

完全替代

AS4C4M32S-6BIN和AS4C4M32S-6BINTR的区别

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