DRAM 512M, 1.8V, 200MHz 16M x 32 Mobile DDR
SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb(16M x 32) 并联 90-FBGA(8x13)
得捷: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
立创商城: AS4C16M32MD1 5BIN
贸泽: DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
电源电压 1.7V ~ 1.95V
封装 VFBGA-90
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册