AS4C32M16MD1-5BCN

AS4C32M16MD1-5BCN图片1
AS4C32M16MD1-5BCN概述

AS4C32X 系列 512 Mb 32M x 16 1.7 ~1.9 V 移动 DDR SDRAM - TFBGA-60

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 60-FPBGA(8x9)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 200Mhz 32M x 16 Mobile DDR


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32M x 16 1.8V 60-Pin FBGA


富昌:
AS4C32X 系列 512 Mb 32M x 16 1.7 ~1.9 V 移动 DDR SDRAM - TFBGA-60


儒卓力:
**Mobile DDR 512Mb 32Mx16 200MHz **


AS4C32M16MD1-5BCN中文资料参数规格
技术参数

存取时间 700 ps

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -30℃ ~ 85℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS4C32M16MD1-5BCN引脚图与封装图
AS4C32M16MD1-5BCN引脚图
AS4C32M16MD1-5BCN封装图
AS4C32M16MD1-5BCN封装焊盘图
在线购买AS4C32M16MD1-5BCN
型号: AS4C32M16MD1-5BCN
描述:AS4C32X 系列 512 Mb 32M x 16 1.7 ~1.9 V 移动 DDR SDRAM - TFBGA-60
替代型号AS4C32M16MD1-5BCN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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