AS4C128M16D3-12BIN

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AS4C128M16D3-12BIN概述

动态随机存取存储器 2G, 1.5V, 1600Mhz 128M x 16 DDR3

SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb 128M x 16 Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA 9x13


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 2G, 1.5V, 1600Mhz 128M x 16 DDR3


安富利:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128M x 16 1.5V 96-Pin F-BGA


AS4C128M16D3-12BIN中文资料参数规格
技术参数

存取时间 13.75 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V

电源电压Max 1.5 V

电源电压Min 1.5 V

封装参数

封装 TFBGA-96

外形尺寸

封装 TFBGA-96

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

AS4C128M16D3-12BIN引脚图与封装图
AS4C128M16D3-12BIN引脚图
AS4C128M16D3-12BIN封装图
AS4C128M16D3-12BIN封装焊盘图
在线购买AS4C128M16D3-12BIN
型号: AS4C128M16D3-12BIN
描述:动态随机存取存储器 2G, 1.5V, 1600Mhz 128M x 16 DDR3
替代型号AS4C128M16D3-12BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Alliance Memory 联盟记忆

当前型号

当前型号

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