AS4C64M16D2-25BIN

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AS4C64M16D2-25BIN概述

AS4C64M16D2 1 Gb 64 M x 16 位 1.8 V DDR2 同步 DRAM - FBGA-84

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 400MHz 400ps 84-TFBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TFBGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA


富昌:
AS4C64M16D2 1 Gb 64 M x 16 位 1.8 V DDR2 同步 DRAM - FBGA-84


TME:
Memory; SDRAM; 64Mx16bit; 1.8V; 400MHz; FBGA84


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray


儒卓力:
**DDR2 SDRAM 1Gb 64Mx16 400MHz **


Win Source:
1Gb 64M x 16 bit DDRII Synchronous DRAM SDRAM | IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA


AS4C64M16D2-25BIN中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.8 V

供电电流 235 mA

时钟频率 400 MHz

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 TFBGA-84

外形尺寸

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS4C64M16D2-25BIN引脚图与封装图
AS4C64M16D2-25BIN引脚图
AS4C64M16D2-25BIN封装图
AS4C64M16D2-25BIN封装焊盘图
在线购买AS4C64M16D2-25BIN
型号: AS4C64M16D2-25BIN
描述:AS4C64M16D2 1 Gb 64 M x 16 位 1.8 V DDR2 同步 DRAM - FBGA-84
替代型号AS4C64M16D2-25BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AS4C64M16D2-25BIN

Alliance Memory 联盟记忆

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完全替代

AS4C64M16D2-25BIN和AS4C64M16D2-25BCNTR的区别

AS4C64M16D2-25BCN

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功能相似

AS4C64M16D2-25BIN和AS4C64M16D2-25BCN的区别

AS4C64M16D2-25BINTR

联盟记忆

功能相似

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