AS4C64M16MD1-6BCN

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AS4C64M16MD1-6BCN概述

DDR DRAM, 64MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 60-FBGA(8x10)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 1G-Bit 64M x 16 1.8V 60-Pin FBGA


AS4C64M16MD1-6BCN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 166 MHz

存取时间 5 ns

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

AS4C64M16MD1-6BCN引脚图与封装图
AS4C64M16MD1-6BCN封装焊盘图
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型号: AS4C64M16MD1-6BCN
描述:DDR DRAM, 64MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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