AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN图片1
AS4C8M32S-6BIN概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 1.4MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-90

SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TF-BGA


富昌:
256M SDRAM 8Mx32, 167MHz, 90-FBGA


儒卓力:
**SDRAM 256Mb 8Mx32 166MHz BGA **


AS4C8M32S-6BIN中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 90

封装 LFBGA-90

外形尺寸

封装 LFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS4C8M32S-6BIN引脚图与封装图
AS4C8M32S-6BIN引脚图
AS4C8M32S-6BIN封装图
AS4C8M32S-6BIN封装焊盘图
在线购买AS4C8M32S-6BIN
型号: AS4C8M32S-6BIN
描述:Synchronous DRAM, 8MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 1.4MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-90

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