AS4C32M16SA-7BIN

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AS4C32M16SA-7BIN概述

DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP

SDRAM Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-FBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA


贸泽:
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP


安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II


AS4C32M16SA-7BIN中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.4 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AS4C32M16SA-7BIN
型号: AS4C32M16SA-7BIN
描述:DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP
替代型号AS4C32M16SA-7BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

当前型号

AS4C32M16SA-7BINTR

联盟记忆

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