AS4C512M8D3-12BCN

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AS4C512M8D3-12BCN概述

DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 10.5MM, 1.2MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-78

SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb 512M x 8 Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA 9x10.5


得捷:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78-Pin F-BGA


儒卓力:
**DDR3 SDRAM 4Gb 512Mx8 800MHz **


AS4C512M8D3-12BCN中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.425V ~ 1.575V

封装参数

封装 TFBGA-78

外形尺寸

封装 TFBGA-78

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS-conform

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS4C512M8D3-12BCN引脚图与封装图
AS4C512M8D3-12BCN引脚图
AS4C512M8D3-12BCN封装图
AS4C512M8D3-12BCN封装焊盘图
在线购买AS4C512M8D3-12BCN
型号: AS4C512M8D3-12BCN
描述:DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 10.5MM, 1.2MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-78
替代型号AS4C512M8D3-12BCN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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