AT45DB641E-MWHN2B-T

AT45DB641E-MWHN2B-T图片1
AT45DB641E-MWHN2B-T概述

闪存, DataFlash, 串行NOR, 64Mbit, 32K Pages x 256Byte, SPI, VDFN-8

FLASH Memory IC 64Mb 256 Bytes x 32K pages SPI 85MHz 8-VDFN 6x8


得捷:
IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8VDFN


贸泽:
NOR闪存 64Mb, 1.7V, 85Mhz SPI Serial Flash


e络盟:
闪存, DataFlash, 串行NOR, 64Mbit, 32K Pages x 256Byte, SPI, VDFN-8


艾睿:
Flash Serial-SPI 1.8V/2.5V/3.3V 64M-bit 8M x 8 7ns 8-Pin VDFN EP T/R


安富利:
Flash Serial-SPI 1.8V/2.5V/3.3V 64Mbit 64M x 1bit 8-Pin VDFN EP T/R


TME:
Memory: Serial Flash; 64Mbit; SPI / RapidS; 85MHz; 1.7÷3.6V; uDFN8


Win Source:
IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8VDFN / FLASH Memory IC 64Mb 256 Bytes x 32K pages SPI 85 MHz 8-VDFN 6x8


AT45DB641E-MWHN2B-T中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.7V ~ 3.6V

针脚数 8

时钟频率 85 MHz

位数 8

存取时间Max 7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VDFN-8

外形尺寸

高度 0.95 mm

封装 VDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AT45DB641E-MWHN2B-T
型号: AT45DB641E-MWHN2B-T
描述:闪存, DataFlash, 串行NOR, 64Mbit, 32K Pages x 256Byte, SPI, VDFN-8
替代型号AT45DB641E-MWHN2B-T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AT45DB641E-MWHN2B-T

Adesto Technologies

当前型号

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完全替代

AT45DB641E-MWHN2B-T和AT45DB641E-MWHN-Y的区别

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完全替代

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