AS4C128M8D3-12BIN

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AS4C128M8D3-12BIN概述

DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 1.2MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-78

SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA 8x10.5


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 128M x 8 1.5V 78-Pin F-BGA


TME:
Memory; DDR3,SDRAM; 128Mx8bit; 1.5V; 800MHz; FBGA78; -40÷85°C


AS4C128M8D3-12BIN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 800 MHz

存取时间 20 ns

电源电压 1.425V ~ 1.575V

电源电压Max 1.5 V

电源电压Min 1.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-78

外形尺寸

封装 TFBGA-78

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

AS4C128M8D3-12BIN引脚图与封装图
AS4C128M8D3-12BIN封装图
AS4C128M8D3-12BIN封装焊盘图
在线购买AS4C128M8D3-12BIN
型号: AS4C128M8D3-12BIN
描述:DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 1.2MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-78
替代型号AS4C128M8D3-12BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AS4C128M8D3-12BIN

Alliance Memory 联盟记忆

当前型号

当前型号

AS4C128M8D3-12BINTR

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AS4C128M8D3-12BIN和AS4C128M8D3-12BINTR的区别

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