AO3415

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AO3415概述

P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.035Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.3--1V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS V = -20V ID = -4 A RDSON < 43mΩ VGS = -4.5V RDSON < 54mΩ VGS = -2.5V RDSON < 73mΩ VGS = -1.8V ESD Rating: 3000V HBM 描述与应用| VDS(V)=-20V ID=-4 A RDS(ON) <43MΩ(VGS=-4.5V) RDS(ON) <54MΩ(VGS=-2.5V) RDS(ON) <73mΩ(VGS=-1.8V) ESD额定值:3000V HBM

AO3415中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4A

输入电容Ciss 1450pF @10VVds

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

AO3415引脚图与封装图
AO3415引脚图
在线购买AO3415
型号: AO3415
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V
替代型号AO3415
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AO3415

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

当前型号

当前型号

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