AON6407概述
-30V,-85A,单P沟道MOSFET
表面贴装型 P 通道 30 V 32A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
得捷:
MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
立创商城:
P沟道 30V 32A
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
力源芯城:
-30V,-85A,单P沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN
AON6407中文资料参数规格
技术参数
额定功率 33 W
极性 P-CH
耗散功率 83 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 85A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 3505pF @15VVds
额定功率Max 7.3 W
下降时间 75 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 7.3W Ta, 83W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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