AO4622概述
N+P双沟道,20V/7.3A-20V/-5A
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V - 2W 表面贴装型 8-SOIC
得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-Pin SOIC
Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-Pin SOIC
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary; 20/-20V; 1.44W
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-Pin SOIC
DeviceMart:
MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC
Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC
AO4622中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.44 W
极性 N+P
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 7.3A/5A
上升时间 9.2 ns
输入电容Ciss 1100pF @10VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 3.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
在线购买AO4622