AON3814概述
N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V
Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 20V 2.5W Surface Mount 8-DFN 2.9x2.3
立创商城:
双N沟道共漏 20V 6A
得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin DFN
TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.3A; 1.6W; DFN8
Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN
AON3814中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.6 W
极性 N-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 600 ns
输入电容Ciss 1100pF @10VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 4400 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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